- 學(xué)報(bào)動(dòng)態(tài)“寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封裝集成與可靠性”專題 征稿啟事2024-05-22 來源： | 點(diǎn)擊率：導(dǎo)語隨著“雙碳”進(jìn)程加快和能源轉(zhuǎn)型深化，能源行業(yè)在未來很長一段時(shí)間將向著清潔低碳方向發(fā)展，為了滿足新形勢(shì)下經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的要求，風(fēng)能、太陽能等新能源發(fā)電會(huì)成為電量主體。這些清潔能源的并網(wǎng)、傳輸和利用等相關(guān)環(huán)節(jié)對(duì)于未來充分高效利用清潔能源至關(guān)重要，而電力電子裝備是未來實(shí)現(xiàn)清潔能源并網(wǎng)及高效傳輸及利用的關(guān)鍵。對(duì)于電力電子裝備來說，功率半導(dǎo)體芯片經(jīng)過封裝集成形成的電力電子器件是其核心，因此，研究開發(fā)高性能的電力電子器件將成為推動(dòng)能源轉(zhuǎn)型的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。近年來，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)展，基于寬禁帶功率半導(dǎo)體芯片的功率半導(dǎo)體器件較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體器件有望具備高頻、高壓、高效及耐高溫的優(yōu)勢(shì)，但現(xiàn)有的封裝集成技術(shù)仍然沿用傳統(tǒng)硅電力電子器件的封裝技術(shù)，這些傳統(tǒng)封裝技術(shù)引入的寄生電感較大，且散熱能力不足，導(dǎo)致寬禁帶功率半導(dǎo)體器件無法真正發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為制約整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸。同時(shí)，寬禁帶功率半導(dǎo)體器件開關(guān)速度較高的特性使得部分寄生參數(shù)無法忽略，其理論模型相較傳統(tǒng)硅器件需要進(jìn)行革新，此外，其失效機(jī)理以及可靠性優(yōu)化理論也有待進(jìn)一步完善。因此，結(jié)合寬禁帶功率半導(dǎo)體器件從理論走向大規(guī)模應(yīng)用過程中所面臨的技術(shù)難題，掌握其客觀演變規(guī)律，研究在不同應(yīng)用場景下建模與可靠性優(yōu)化的新理論、新方法與新技術(shù)，以提升寬禁帶功率半導(dǎo)體器件性能與可靠性，已成為國內(nèi)外專家、學(xué)者和工程人員共同關(guān)注的焦點(diǎn)。 面向“雙碳目標(biāo)”國家戰(zhàn)略的持續(xù)需求，在新能源發(fā)電、電氣化交通等新興應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)變流器的效率、功率密度、可靠性提出了越來越高的要求。以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，具有高頻、高效、高壓及耐高溫等優(yōu)異性能，可以有效降低變流器的功率損耗和體積重量。然而，相對(duì)于傳統(tǒng)硅功率器件，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具有更高的開關(guān)速度、熱流密度、楊氏模量，導(dǎo)致其長期面臨寄生效應(yīng)重、結(jié)殼熱阻大、預(yù)期壽命短、可靠性差等關(guān)鍵技術(shù)難題，在高功率密度封裝集成與可靠性方面面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。因此，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件突破了傳統(tǒng)硅器件的技術(shù)邊界，如何構(gòu)建與之匹配的封裝集成與可靠運(yùn)行方法，已成為國內(nèi)外專家、學(xué)者和工程師共同關(guān)注的焦點(diǎn)。
為了促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件規(guī)?；?biāo)準(zhǔn)化工程應(yīng)用的發(fā)展，進(jìn)一步繁榮學(xué)術(shù)交流、推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步、共享科研成果，《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》編輯部特邀西安交通大學(xué)王來利教授、海軍工程大學(xué)肖飛教授、重慶大學(xué)冉立教授、中國科學(xué)院電工研究所寧圃奇研究員、天津工業(yè)大學(xué)梅云輝教授、華中科技大學(xué)王智強(qiáng)教授、合肥工業(yè)大學(xué)李賀龍教授、重慶大學(xué)曾正教授、華北電力大學(xué)趙志斌教授和浙江大學(xué)羅皓澤教授作為客座主編，主持“寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封裝集成與可靠性”專題，特向國內(nèi)外此領(lǐng)域的專家、學(xué)者征稿。
一、專題征稿范圍（包括但不限于）
1）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的多物理場建模與測試表征
2）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的先進(jìn)互連與封裝結(jié)構(gòu)
3）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的高壓/高溫/大容量封裝集成方法
4）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的壽命模型與剩余壽命預(yù)測
5）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的特征參量表征與檢測
6）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的可靠性設(shè)計(jì)與健康管理
7）人工智能在寬禁帶功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與優(yōu)化中的應(yīng)用
8）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封裝關(guān)鍵材料及其制備
9）基于寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的電力電子模塊集成方法
10）寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)、保護(hù)與控制方法
11）寬禁帶功率半導(dǎo)體器件電磁噪聲產(chǎn)生機(jī)理與抑制方法
12）寬禁帶功率半導(dǎo)體器件在電能變換中的應(yīng)用
二、征稿要求
1. 高質(zhì)量的綜述，要求詳細(xì)介紹國內(nèi)外研究背景，對(duì)其他研究者的現(xiàn)有工作及自己的研究思路有較全面的陳述和較深入的討論；
2. 研究論文，要求設(shè)計(jì)和方法敘述清晰（包括理論計(jì)算、數(shù)值模擬、實(shí)驗(yàn)仿真等）；
3. 重點(diǎn)突出，論述嚴(yán)謹(jǐn)，文字簡練，避免長篇公式推導(dǎo)；
4. 來稿請(qǐng)用word排版，格式參考《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》網(wǎng)站投稿指南http://www.ces-transaction.com/html1/folder/1712/983-1.htm模板。
三、重要日期
投稿截止日期：2024年11月30日
預(yù)計(jì)刊出時(shí)間：2025年3/4月
四、投稿方式
請(qǐng)登錄《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》官網(wǎng)http://www.ces-transaction.com投稿，稿件類型或者投稿欄目選擇“寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封裝集成與可靠性”專題。真誠歡迎國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者以及國家級(jí)科研計(jì)劃承擔(dān)單位踴躍投稿！
五、客座主編
王來利 教授 西安交通大學(xué) E-mail：llwang@mail.xjtu.edu.cn
肖 飛 教授 海軍工程大學(xué) E-mail：xfeyninger@qq.com
冉 立 教授 重慶大學(xué) E-mail：li.ran@cqu.edu.cn
寧圃奇 研究員 中國科學(xué)院電工研究所 E-mail：npq@mail.iee.ac.cn
梅云輝 教授 天津工業(yè)大學(xué) E-mail：meiyunhui@163.com
王智強(qiáng) 教授 華中科技大學(xué) E-mail：zhiqiangwang@hust.edu.cn
李賀龍 教授 合肥工業(yè)大學(xué) E-mail：helong.li@hfut.edu.cn
曾 正 教授 重慶大學(xué) E-mail：zengerzheng@cqu.edu.cn
趙志斌 教授 華北電力大學(xué) E-mail：zhibinzhao@ncepu.edu.cn
羅皓澤 教授 浙江大學(xué) E-mail：haozeluo@zju.edu.cn
編輯部聯(lián)系人: 陳 誠 010-63256981 dgjsxb_cc@126.com 郭麗軍 010-63256949 glijun@126.com
