專家簡介

沈湛，東南大學(xué)電氣工程學(xué)院副研究員。丹麥奧爾堡大學(xué)博士，受邀在IEEE WiPDA Asia等國際會(huì)議做特邀報(bào)告，美國麻省理工學(xué)院、德國亞琛工業(yè)大學(xué)訪問學(xué)者。榮獲IEEE PEAS、ICRERA等會(huì)議論文獎(jiǎng)，曾任IEEE丹麥奧爾堡學(xué)生協(xié)會(huì)秘書、IEEE IPEMC國際會(huì)議分會(huì)場主席。主要從事磁性元件、可靠性、 EMI等方面研究。

報(bào)告簡要

沈湛副研究員分享了高頻磁性元件分布電容與交流電阻建模研究的報(bào)告，考慮了繞組結(jié)構(gòu)及磁芯影響，提出了改進(jìn)的分布電容與交流繞組模型，有助于提升寄生參數(shù)模型精度，增強(qiáng)元件性能。

• 高頻應(yīng)用中磁元件的電容及電阻引起電流振蕩、效率降低、溫升提高等一系列問題；
• 電容建模及交流電阻建模中需要考慮繞組結(jié)構(gòu)及磁芯的影響；
• 依據(jù)建模及電磁機(jī)理研究，進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)、提出新結(jié)構(gòu)磁元件，增強(qiáng)元件性能。