近年來,超高壓、遠(yuǎn)距離、大容量輸電技術(shù)迅速發(fā)展,對(duì)電力設(shè)備的絕緣性能提出了更高的要求,而設(shè)備小型化、緊湊化的發(fā)展趨勢(shì)使絕緣性能的重要性愈加突出。環(huán)氧樹脂易于成型、化學(xué)性能穩(wěn)定、耐熱性能好、機(jī)械韌性和電氣絕緣性能優(yōu)異,因此被廣泛應(yīng)用于高壓電工裝備絕緣。
環(huán)氧樹脂絕緣件主要包括澆注類和浸漬類,前者主要應(yīng)用于電機(jī)、電器、高壓開關(guān)以及干式變壓器等,比如環(huán)氧澆注盆式絕緣子在氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(Gas Insulated Switchgear, GIS)中起著支撐載流導(dǎo)體母線、電氣絕緣及隔離氣室的作用;后者則主要應(yīng)用于電機(jī)線圈、絕緣拉桿和干式套管等,例如絕緣拉桿主體采用纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂復(fù)合材料制成,用于將運(yùn)動(dòng)從接地部分傳送到高電位部分,以實(shí)現(xiàn)電氣連接的通斷。
環(huán)氧絕緣件中一旦出現(xiàn)絕緣缺陷,運(yùn)行過程中會(huì)導(dǎo)致局部電場(chǎng)畸變,甚至達(dá)到平均電場(chǎng)強(qiáng)度的數(shù)倍以上。電場(chǎng)畸變引起的局部放電容易使環(huán)氧絕緣件老化,絕緣性能下降,最終使高壓電力設(shè)備絕緣系統(tǒng)發(fā)生沿面閃絡(luò)、內(nèi)部擊穿等故障,并嚴(yán)重威脅電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行。
已有研究表明,GIS環(huán)氧絕緣件中裂紋、分層、氣泡三種不同缺陷下局部放電產(chǎn)生的脈沖波形、擊穿電壓等放電特征以及擊穿風(fēng)險(xiǎn)均存在差異,其中裂紋缺陷產(chǎn)生的局部放電脈沖波形的上升沿最小,其擊穿電壓也最小,在長(zhǎng)期運(yùn)行工況下?lián)舸╋L(fēng)險(xiǎn)最高。對(duì)GIS絕緣內(nèi)部不同形狀氣隙缺陷處電場(chǎng)分布的有限元仿真分析發(fā)現(xiàn),氣隙缺陷大小對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度畸變影響較小,而缺陷形狀以及所在位置為場(chǎng)強(qiáng)畸變的重要影響因素;采用特高頻法對(duì)實(shí)際GIS缺陷模型產(chǎn)生的局部放電進(jìn)行檢測(cè),發(fā)現(xiàn)裂縫缺陷下的放電比氣泡缺陷下的放電更為劇烈,并且裂縫寬度越小放電越劇烈。
對(duì)芳綸纖維增強(qiáng)型絕緣拉桿實(shí)體三維模型進(jìn)行電場(chǎng)仿真分析表明,復(fù)合材料界面結(jié)合不佳引起的層間分離缺陷是運(yùn)行中絕緣拉桿放電的主要原因。
上述研究均表明環(huán)氧絕緣件中存在的各類缺陷都會(huì)嚴(yán)重影響其絕緣性能,是導(dǎo)致高壓電力設(shè)備故障的重要原因。對(duì)環(huán)氧絕緣件中的缺陷進(jìn)行有效、準(zhǔn)確的檢測(cè)有助于提高其使用壽命并降低高壓電力設(shè)備運(yùn)行維護(hù)成本。
天津大學(xué)等單位的科研人員根據(jù)國(guó)內(nèi)外研究成果,介紹了環(huán)氧絕緣件中缺陷產(chǎn)生的機(jī)理以及相關(guān)的無損檢測(cè)方法,分析了生產(chǎn)過程、運(yùn)行過程中容易出現(xiàn)的缺陷類型以及對(duì)絕緣性能造成的影響,并對(duì)基于電學(xué)特性檢測(cè)方法、高頻檢測(cè)方法和超聲波檢測(cè)方法進(jìn)行了對(duì)比、總結(jié)和展望。
他們表示,目前國(guó)內(nèi)外研究人員對(duì)電工環(huán)氧絕緣件缺陷提出了諸多檢測(cè)方法,但是都存在各自的局限性。
他們最后指出,環(huán)氧絕緣件的應(yīng)用對(duì)高壓電力設(shè)備的絕緣性能和使用壽命有顯著的提升作用,但是環(huán)氧絕緣件中存在缺陷會(huì)導(dǎo)致電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變,引發(fā)局部放電,使環(huán)氧絕緣件逐漸劣化,最終使絕緣系統(tǒng)發(fā)生沿面閃絡(luò)、內(nèi)部擊穿等故障。因此需要對(duì)環(huán)氧絕緣件中缺陷的有效檢測(cè)進(jìn)行更深入的研究。
1)目前國(guó)內(nèi)外對(duì)環(huán)氧絕緣件缺陷檢測(cè)主要采用單一手段進(jìn)行缺陷檢測(cè),大大限制了缺陷檢出的有效性和準(zhǔn)確性。如何實(shí)現(xiàn)多種檢測(cè)手段協(xié)同作用,綜合評(píng)定絕緣件是否存在缺陷是今后的發(fā)展方向。
2)環(huán)氧絕緣件還會(huì)出現(xiàn)由填料分布不均或者交聯(lián)度不均等引起的潛伏性缺陷,目前還沒有方法能進(jìn)行有效檢測(cè)。潛伏性缺陷通過影響表面電荷行為及改變介電參數(shù)分布造成局部電場(chǎng)集中,成為誘發(fā)絕緣件故障的重要原因。迫切需要開發(fā)更為先進(jìn)的光電傳感器件與方法,實(shí)現(xiàn)電工環(huán)氧絕緣件潛伏性缺陷的早期預(yù)警。
以上研究成果發(fā)表在2021年第21期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》,論文標(biāo)題為“電工環(huán)氧絕緣件缺陷無損檢測(cè)方法研究進(jìn)展”,作者為李進(jìn)、趙仁勇 等。