- 學報動態(tài)“先進功率半導體器件及其封裝、集成與應(yīng)用”專題征稿啟事2020-05-29 來源： | 點擊率：導語功率半導體器件是電力電子裝置的核心元件，對整個裝置的性能有著決定性影響。目前廣泛采用的硅功率半導體器件已趨近其理論極限，成為制約電力電子技術(shù)進一步發(fā)展的瓶頸之一，因此亟需在硅功率半導體器件已有研究上取得新突破。同時，以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶電力電子器件具有開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫、耐高壓等特點，其性能遠超傳統(tǒng)的硅電力電子器件，是構(gòu)建新一代電力能源系統(tǒng)的基礎(chǔ)支撐。但是，目前寬禁帶電力電子器件及其封裝、集成與應(yīng)用中尚存在一系列基礎(chǔ)科學問題與關(guān)鍵技術(shù)難題，導致目前寬禁帶電力電子器件性能距離理論水平仍有較大差距。
功率半導體器件是電力電子裝置的核心元件，對整個裝置的性能有著決定性影響。目前廣泛采用的硅功率半導體器件已趨近其理論極限，成為制約電力電子技術(shù)進一步發(fā)展的瓶頸之一，因此亟需在硅功率半導體器件已有研究上取得新突破。同時，以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶電力電子器件具有開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫、耐高壓等特點，其性能遠超傳統(tǒng)的硅電力電子器件，是構(gòu)建新一代電力能源系統(tǒng)的基礎(chǔ)支撐。但是，目前寬禁帶電力電子器件及其封裝、集成與應(yīng)用中尚存在一系列基礎(chǔ)科學問題與關(guān)鍵技術(shù)難題，導致目前寬禁帶電力電子器件性能距離理論水平仍有較大差距。
為了促進硅與寬禁帶功率半導體的相關(guān)研究，共享科學技術(shù)研究成果，《電工技術(shù)學報》編輯部特邀浙江大學盛況教授、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院楊霏（教授級高工）擔任特邀主編，湖南大學王俊教授、西安交通大學王來利教授、華中科技大學王智強教授擔任特邀副主編。組織“先進功率半導體器件及封裝、集成與應(yīng)用”專題。特向國內(nèi)外專家、學者征稿，旨在通過學術(shù)會議加強交流，推動相關(guān)理論研究與技術(shù)發(fā)展。
1.專題征稿范圍（包括但不限于）
（1）硅、寬禁帶電力電子器件設(shè)計與工藝
（2）硅、寬禁帶電力電子器件表征與建模方法
（3）硅、寬禁帶電力電子器件高性能封裝
（4）器件驅(qū)動、保護與其它輔助電路
（5）器件高溫運行、高壓絕緣技術(shù)
（6）高頻、高效、高功率密度變換器
（7）可靠性評估與壽命預(yù)測
（8）硅、寬禁帶變換器電磁干擾建模與抑制
（9）高性能無源元件與磁集成技術(shù)
2. 投稿要求
1）研究性論文。
2）綜述性論文，要求有全面的闡述和深刻的評論與見解。
3. 重要日期
1）專題投稿截止時間：2020年10月30日
2）期刊論文預(yù)計刊出時間：2021年1-3月
4. 投稿方式：
請登錄雜志網(wǎng)站（http://www.ces-transaction.com）注冊作者用戶名投稿，投稿時請在投稿欄目（類型）中選擇“先進功率半導體器件及封裝、集成與應(yīng)用”專題；格式請參考網(wǎng)站“投稿指南”中的論文全文模板或摘要模板。
聯(lián)系人：
《電工技術(shù)學報》編輯部郭麗軍 郵箱：glijun@126.com 電話：010-63256949
特邀主編：
盛 況 教授 浙江大學 shengk@zju.edu.cn
楊 霏 教授級高工 國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院 yangfei@geiri.sgcc.com.cn
特邀副主編:
王俊教授 湖南大學 junwang@hnu.edu.cn
王來利教授 西安交通大學 llwang@mail.xjtu.edu.cn
王智強 教授 華中科技大學 zhiqiangwang@hust.edu.cn
